型号	VDSS（电压）	R@JC（热阻）
AP5N10S	100V	41.7℃/W
Package（封装）	ID（电流）	RDS(on)（内阻）
SOT23-3	3A	115/140Ω
PD（功率）	包装方式	库存数量
5W	/	15K

1、semihow 的COOLMOS是多层外延工艺，目前国内能生产的厂家不多，韩国三星晶圆代工，8寸晶圆产能有保障，辐射效果比沟槽工艺的coolmos低3~5DB，同规格型号来看，多层外延工艺的MOS抗 冲击能力强。
2、同电流规格情况下，coolmos比平面MOS的内阻小，损耗低，会大幅度降低MOS的导通损耗 。
3、COOL MOS效率高，因为内阻小，产品效率更好，尤其在大功率电源产品上，优势表现的更为突出
4、温度低，工艺要求比平面MOS更严格，同等功率下COOL MOS晶圆面积比平面 MOS小，有利于电源系统功率密度的提高。