型号	VDSS（电压）	R@JC（热阻）
HCI80R250	800V	℃/W
Package（封装）	ID（电流）	RDS(on)（内阻）
I2-PAK	18A	Ω
PD（功率）	包装方式	库存数量
43W	/	15K

1、semihow 的COOLMOS是多层外延工艺,目前国内能生产的厂家不多,韩国三星晶圆代工,8寸晶圆产能有保障,辐射效果比沟槽工艺的coolmos低3~5DB,同规格型号来看,多层外延工艺的MOS抗 冲击能力强。
2、同电流规格情况下,coolmos比平面MOS的内阻小,损耗低,会大幅度降低MOS的导通损耗 。
3、COOL MOS效率高,因为内阻小,产品效率更好,尤其在大功率电源产品上,优势表现的更为突出
4、温度低,工艺要求比平面MOS更严格,同等功率下COOL MOS晶圆面积比平面 MOS小,有利于电源系统功率密度的提高。